Нд, 23 Липень 2017, 17:33Вітаю Вас Гость | RSS
Дубенська СЗОШ І-ІІІ ст. №5 з поглибленим вивченням іноземних мов
Меню сайту
Категорії розділу
Фізика та астрономія [15]
Українська мова [0]
Українська література [5]
Математика [0]
Світова література [1]
Географія [0]
Історія [0]
Англійська мова [5]
Біологія [0]
Хімія [0]
Інформатика [4]
Німецька мова [2]
Польська мова [1]
Форма входу
Наше відео
Статистика сайту
Онлайн всього: 1
Гостей: 1
Користувачів: 0
Контакти
35604
Рівненська обл.
м.Дубно
вул.Пушкіна, 3
тел.: (03656) 2-22-56
e-mail: sznz5@meta.ua
Погода в Дубно
Погода в Дубно

Навчальні предмети


Головна » Навчальні предмети » Фізика та астрономія

Ф-11. Урок 10. Напівпровідники. Власна і домішкова провідність.

1. Речовини, які мають низьку провідність порівняно з провідниками і більшу провідність, ніж у діелектриків називають напівпровідниками.
2. Напівпровідники - це речовини, в яких кількість вільних носіїв заряду дуже залежить від температури (термістори). При низьких температурах напівпровідники є діелектриками, однак уже при кімнатній температурі напівпровідники проводять струм.
3. Питомий опір напівпровідників на декілька порядків більший, ніж у металів, і швидко зменшується зі збільшенням температури, так як збільшується кількість вільних носіїв заряду.
4. Чистим напівпровідникам властива власна провідність. Носіями заряду є електрони та дірки (відсутність електрона).
5. На провідність напівпровідників суттєво впливають домішки.
6. Якщо у 4-валентний кремній додати 5-валентний мишяк, то утворюється домішкова провідність п-типу, яким властива електронна провідність. Такі домішки називають донорними. Основними носіями є електрони, а неосновними - дірки.
7. Якщо у 4-валентний кремній додати 3-валентний індій, то утворюється домішкова провідність р-типу, яким властива діркова провідність. Такі домішки називають акцепторними. Основними носіями є дірки, а неосновними - електрони.
8. На провідність напівпровідників впливає потік світла, що падає на нього (фотоелементи і фотодіоди).
9. Р-п-перехід - це контакт між напівпровідниками р та п типу. У результаті зустрічної дифузії електронів та дірок поблизу р-п-переходу утворюється запираючий електричний шар, поле якого припиняє подальший перехід електронів у р-область і дірок у п-область.
10. Якщо зовнішнє електричне поле направлене від р до п то ширина запираючого шару зменшується, запираючий шар звужується і через р-п-перехід іде струм (пряме включення).
11. Якщо зовнішнє електричне поле направлене від п до р то запираючий шар розширюється, його опір збільшується і струм через р-п-перехід не йде струм (зворотне включення).
12. Отже р-п-перехід має односторонню провідність і широко застосовується у напівпровідникових приладах.
13. Напівпровідниковий діод - прилад, що містить один р-п-перехід і має односторонню провідність.
14. Напівпровідниковий прилад, що містить р-п-р або п-р-п переходи називається транзистор. Він дозволяє підсилити електричні сигнали (підсилювач) та регулювати великі струми за допомогою малих (електронний ключ).

Категорія: Фізика та астрономія | Додав: Janok (16 Жовтень 2012)
Переглядів: 1470 | Рейтинг: 0.0/0
School 5 Life
Новий номер шкільної англомовної газети "School 5 Life"

Пошук
Друзі сайту